[发明专利]具有不对称边缘轮廓的半导体晶片及其制造方法

摘要

本发明涉及具有不对称边缘轮廓的半导体晶片及其制造方法。半导体晶片利用不对称边缘轮廓(EP)以便获得半导体器件加工的较高合格率。构造这些边缘轮廓以减少薄膜残余物的量，该薄膜残余物可能形成在半导体晶片的上表面上并靠近其周围边缘的位置处。还构造这些边缘轮廓以在半导体加工步骤期间抑制在晶片上表面上再淀积残存颗粒。该制造方法包括：将半导体结晶体切成具有上表面和下表面的至少一个半导体晶片；以及研磨该至少一个半导体晶片的周围边缘，以定义在内边缘轮廓(EP_in)和外边缘轮廓(EP_out)之间延伸的不对称边缘轮廓(EP)。

主权项

1、一种具有不对称边缘轮廓(EP)的半导体晶片，该不对称边缘轮廓(EP)在内边缘轮廓(EPin)和外边缘轮廓(EPout)之间延伸，这里结合如图1所示的；其中t是该半导体晶片的厚度，1是在大约30°和大约85°之间范围内的角度，R是弧的半径，该弧定义与该半导体晶片的上表面的交点处的EPin，以及α是锐角，表示该半导体晶片的下表面和与EPout上的点处的该弧正切的线之间的夹角；以及其中： A1＝R(1-cos1)； A2＝R(1-sinα)+(t-Rsin1-Rcosα)cotα； B1＝Rsin1；以及 B2＝t-Rsin1。