[发明专利]覆盖电子元件的保护膜的形成方法及有保护膜的电子仪器无效
| 申请号： | 03155639.6 | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1487777A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 大畑浩;尾越国三;木村政美 | 申请（专利权）人： | 东北先锋电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;C23C14/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏;郑建晖 |
| 地址： | 日本山形*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供能够有效地密封例如装载于基板的一面上的有机EL元件的保护膜的形成方法。与装载于透明基板(1)的一面上的有机EL元件(2)对置地配置作为蒸发源的坩埚(15a)～(15c)。此外，准备具有与有机EL元件(2)对应的开口部(11a)的掩膜(11)，该掩膜(11)配置在基板(1)与坩埚(15)之间。阶段性地增大掩膜(11)相对于前述基板(1)的位置的同时，选择来自于坩埚(15a)～(15c)并被蒸发的材料。由此，形成覆盖有机EL元件(2)的第1层保护膜(21)和在该第1层保护膜上更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜(22)，进而同样形成第3层以上的保护膜。 | ||
| 搜索关键词： | 覆盖 电子元件 保护膜 形成 方法 电子仪器 | ||
【主权项】：
1.一种覆盖电子元件的保护膜的形成方法，在以覆盖装载在基板一面上的电子元件的方式，形成至少两层以上的保护膜的保护膜形成方法中，其特征在于：通过依次实行相对于前述基板，间隔规定的第1距离配置具有与装载于前述基板的一面上的电子元件对应的开口部的掩膜，经由前述掩膜的开口部将成膜材料作为第1层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序，和相对于前述基板，间隔比前述第1距离大的第2距离配置前述掩膜，经由前述掩膜的开口部将成膜材料作为第2层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序，由此，至少形成覆盖电子元件的第1层保护膜和在第1层保护膜上更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜。
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