[发明专利]半导体激光器及其制造方法无效
| 申请号： | 03155768.6 | 申请日： | 2003-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1487637A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 太田将之;兼岩进治;大岛昇 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造半导体激光器的方法，包括以下步骤：在层叠了至少一层发光层的半导体晶片的上表面上形成一电极图形；将所得到的半导体晶片以预定宽度切割成多条半导体条；和把所述的半导体条截断成适当尺寸，以形成半导体激光器，所述的半导体激光器具有一对平行于芯片宽度方向相互间隔一预定的谐振器长的解理面，其中在形成电极图形步骤中所形成的电极图形至少在谐振器长度方向上是连续的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体激光器的方法，包括以下步骤：在一个层叠有至少一发光层的半导体晶片的上表面上形成一电极图形；以预定的宽度把所得到的半导体晶片切割成多条半导体条；和把所述的半导体条截成适当尺寸以形成具有一对平行于芯片宽度方向且相互间隔一预定的谐振器长的解理面的半导体激光器，其中在所述形成电极图形的步骤中所形成的电极图形至少在谐振器长度方向上是连续的。
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