[发明专利]具有沟槽电容器的动态随机存取存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有沟槽电容器的动态随机存取存储器及其制造方法，其中第一电极板设置于基底的岛状半导体结构的下面部分的侧壁上，第二电极板设置于岛状半导体结构的下面部分的表面内和岛状半导体结构外侧的基底的表面内，电容器介电层设置于第二电极板和第一电极板之间。控制沟槽电容器的晶体管设置于岛状半导体结构上，其具有第一、第二源极/漏极和栅极电极。埋入带设置于第二源极/漏极和第一电极板之间，以及将导电插塞设置于第一源极/漏极和位线之间。

主权项

1.一种具有沟槽电容器的动态随机存取存储器，包括：一基底，该基底的上面部分具有一岛状半导体结构；一第一电极板，设置于该岛状半导体结构的下面部分的侧壁；一第二电极板，设置于该岛状半导体结构的下面部分的表面内和该岛状半导体结构外侧的该基底的表面内；一电容器介电层，设置于该第二电极板和该第一电极板之间；一晶体管，设置于该岛状半导体结构上，其中该晶体管具有一第一源极/漏极、一第二源极/漏极和一栅极电极；以及一埋入带，设置于该第二源极/漏极和该第一电极板之间。