[发明专利]形成多晶硅层的方法

摘要

本发明涉及一种形成多晶硅层的方法，用以促进设置于基板上的非晶硅层结晶成为多晶硅层，其步骤包含：首先，提供一种具有氧化剂以及金属物质的混合物；接着，涂布该混合物于设置于基板上的非晶硅层表面；于非晶硅层中接近混合物处形成一氧化层，同时，金属物质随着非晶硅层被氧化成氧化层的过程，而陷入氧化层中，形成具有金属物质的氧化层；接着，增加温度环境超过550摄氏度以上；最后，藉由具有金属物质的氧化层，促进非晶硅层中与具有金属物质的氧化层接触的表面结晶成为均匀的多晶硅层。

主权项

1、一种形成多晶硅层的方法，用以促进设置于基板上的非晶硅层结晶成为多晶硅层，该方法包含下列步骤：提供一种具有氧化剂以及金属物质的混合物；将该混合物涂布于设置于基板上的非晶硅层表面；藉由混合物中的氧化剂，在非晶硅层中与混合物的接触面，形成一氧化层，并且金属物质于该氧化层形成的过程陷入氧化层中，而形成具有金属物质的氧化层；以及提高温度环境超过摄氏550度以上，并藉由具有金属物质的氧化层，促进非晶硅层中与具有金属物质的氧化层接触的表面结晶成为多晶硅层。