[发明专利]一种硅纳米线及其制备方法无效
| 申请号： | 03155931.X | 申请日： | 2003-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1590599A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 许向东;王银川;刘忠范 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B29/62;C01B33/021 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅纳米线及其制备方法。本发明的硅纳米线由单晶态硅核以及包裹在外面的非晶氧化物壳层所组成。其制备方法是(1)用高纯度硅粉和二氧化硅粉，按重量比例为1∶1进行配置搅匀，压成片状，放在超高真空电子束系统的源坩埚中抽真空备用；(2)选用SiO2/Si作为硅纳米线的生长衬底，并用丙酮和甲醇溶液分别超声清洗5分钟，再用高纯氮气吹干后，放入电子束系统的预真空室中，抽真空；(3)然后把衬底传到本底压强为2×10－10mbar的电子束系统主真空室中，加热到650～750℃，温度稳定后，再用电子束蒸发源坩埚中的Si+SiO2源，使硅以0.02nm/s的速率蒸发出来，并在SiO2/Si(111)或SiO2衬底上沉积生长；(4)主真空室冷却至室温，取出衬底，其表面蓝灰色或黄色薄膜，即为一维硅纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅纳米线，由直径为9～13nm的单晶态硅核以及包裹在外面的厚度为5～9nm的非晶氧化物壳层组成。
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