[发明专利]抗静电高分子材料及其制备方法无效
| 申请号： | 03156048.2 | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1590633A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 何文岳;魏腾芬;陈联泰;田锦衡;罗立清 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | D06M13/35 | 分类号： | D06M13/35;D01F1/09 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;楼仙英 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新颖的长效型抗静电高分子材料及其制备方法。该高分子材料表面具有与其键结的咪唑盐及/或吡啶盐，所述咪唑盐如下式(I)所示，所述吡啶盐如下式(II)所示，其具有抗静电性，耐洗涤，不易脱落的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 抗静电 高分子材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抗静电高分子材料，包括：一高分子基质，所述高分子基质表面接枝有直链或支链型聚合物侧链，其特征在于，所述聚合物侧链的全部或部分末端与下列式(I)或式(II)所示的化合物键结：![]()
式(I)![]()
式(II)其中Y为Si(OCH3)3、Si(OC2H5)3、或COOR2，R1为CH3(CH2)x-，x为0至12的整数，R2为CH3(CH2)y-，y为0至6的整数，n为1至12的整数，及X为Cl、Br、I、PF6、或BF4。
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