[发明专利]静态半导体存储装置及其控制方法有效
| 申请号： | 03156071.7 | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1485859A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 芦泽哲夫 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 静态半导体存储装置及其控制方法。使与电源线连接的多个p－MOSFET接通，以使位线预充电。由NOR电路和反相器生成的预充电消除信号进行预充电控制，以使p－MOSFET断开，以便在备用模式期间，把位线设定在浮动状态，或者使p－MOSFET接通，以便在读出模式或写入模式期间使位线预充电。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 半导体 存储 装置 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种静态半导体存储装置，其具有作为操作模式的备用模式和正常操作模式，该静态半导体存储装置包括：存储单元阵列，其具有采用矩阵排列的静态存储单元阵列；字线，其设置成与所述存储单元阵列的各行对应；一对位线，其设置成与所述存储单元阵列的各列对应；多个预充电电路，其使所述位线预充电；以及预充电控制电路，其根据外部输入的用于对备用模式期间和正常操作模式期间进行规定的操作模式信号，生成和输出用于对所述预充电电路进行控制的预充电控制信号。
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