[发明专利]半导体存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 03156082.2 | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1485891A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 南晴宏之;中村学;世良贤太郎;东雅彦;宇津野五大;高木英雄;锻治田达也 | 申请（专利权）人： | 富士通AMD半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/8239;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在硅区域上形成下层二氧化硅膜之后，通过，例如，热CVD方法而在下层二氧化硅膜上形成硅膜。然后，通过等离子氮化方法对硅膜进行完全氮化，从而置换为氮化硅膜。然后，通过等离子氧化方法对氮化硅膜的表面层进行氧化，从而置换为上层二氧化硅膜。从而形成由下层二氧化硅膜、氮化硅膜和上层二氧化硅膜构成的多层绝缘膜的ONO膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体器件的方法，包括：形成下层二氧化硅膜的步骤；在下层二氧化硅膜上形成硅膜的步骤；通过等离子氮化方法在下层二氧化硅膜上形成氮化硅膜，使硅膜完全氮化的步骤，其中形成了至少包含所述下层二氧化硅膜和氮化硅膜的多层绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
