[发明专利]深沟渠式电容器及其制造方法

摘要

本发明是关于一种深沟渠式电容器及其制造方法，其首先是提供一基底，且基底中已形成有一深沟渠，深沟渠底部已形成有一掺杂区，深沟渠底部的表面已形成有一电容介电层，而在电容介电层上已形成有一第一导电层。接着在未被第一导电层填覆盖的深沟渠侧壁形成一领氧化层。之后在深沟渠内形成一材料层，覆盖第一导电层且暴露出部分领氧化层。随后移除暴露出的领氧化层，而使基底暴露出来。之后移除材料层，并且在深沟渠内形成一第二导电层，覆盖第一导电层以及领氧化层。本发明仅需形成第二导电层，即可使电容器与主动元件电性连接，因此较现有的制程更为简单。

主权项

1、一种深沟渠式电容器的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基底，该基底中已形成有一深沟渠，且该深沟渠底部已形成有一掺杂区，该深沟渠底部的表面已形成有一电容介电层，在该电容介电层上已形成有一第一导电层；在未被该第一导电层填覆盖的该深沟渠侧壁处形成一领氧化层；在该深沟渠内形成一材料层，覆盖该第一导电层，而暴露出部分该领氧化层；移除被暴露出的该领氧化层，以使该深沟渠顶部侧壁处的该基底暴露出来；移除该材料层；以及在该深沟渠内形成一第二导电层，覆盖该第一导电层以及该领氧化层，且该第二导电层是与该深沟渠顶部侧壁处的该基底接触。