[发明专利]形成PN接面的方法及单次可程序只读存储器的结构与制程

摘要

一种形成PN接面的方法，以及相关的单次可程序只读存储器的结构与制程。其中，PN接面形成方法是：先形成N型掺杂层－介电层－晶核层的堆栈结构，再于基底上形成具有开口的绝缘层。接着于开口中形成P型复晶硅或非晶硅层，再进行回火，以使复晶硅或非晶硅层转变为单晶硅层，然后使介电层电性崩溃。单次可程序只读存储器制程应用上述PN接面形成方法而得到，其中下方掺杂层、介电层与晶核层构成一长条状堆栈结构，且绝缘层中所形成者为沟渠，其走向与长条状堆栈结构不同。

主权项

1.一种形成PN接面的方法，包括：于一基底上形成一堆栈结构，该堆栈结构包括由下至上的一第一掺杂层、一介电层与一晶核层；于该基底上形成具有一开口的一绝缘层，该开口暴露出部分的该晶核层；于该开口中形成一第二掺杂层，该第二掺杂层的材质为复晶硅与非晶硅二者之一；进行一回火步骤，以使该第二掺杂层转变为一第一单晶硅层；以及使该介电层电性崩溃，该第一掺杂层与该第二掺杂层二者中有一者为P型掺杂，另一者为N型掺杂。