[发明专利]部分垂直存储单元的双边角圆化制程

摘要

本发明提出一种部分垂直存储单元的双边角圆化制程，第一次圆化制程是于半导体基底中蚀刻形成隔离区的沟槽后进行，第二次圆化制程是于支持区形成浅沟槽隔离结构后，再次暴露出存储单元数组区的主动区的边角，以对存储单元数组区的主动区的边角进行第二次圆化制程。

主权项

1.一种部分垂直存储单元的双边角圆化制程，包括：提供一半导体基底，包括一存储单元数组区和一支持区，该半导体基底上具有一第一罩幕层，该存储单元数组区的该第一罩幕层和该半导体基底中具有一深沟槽，该深沟槽中的下半部具有一电容器，该电容器顶部具有一第一绝缘层，该第一绝缘层的表面低于该半导体基底的表面一距离；于该深沟槽中填入另一罩幕材质，形成一第二罩幕层，该第二罩幕层的表面低于该第一罩幕层的表面；覆盖一光阻层于主动区的区域，该光阻层对应于一第一部分的该半导体基底，未为该光阻层覆盖之处为一第二部分的该半导体基底；移除未被该光阻层覆盖的该第一罩幕层、该第二部分的部分该半导体基底，至该第二部分的该半导体基底的表面低于该第一绝缘层的表面；移除该光阻层和该第二罩幕层；使该第一罩幕层的边缘退缩至暴露出该第一部分的该半导体基底的边角；对该第一部分的该半导体基底的边角进行第一圆化制程；于该第一罩幕层、该第一绝缘层和该半导体基底表面形成一衬绝缘层；于该衬绝缘层上形成一绝缘插塞，该绝缘插塞与该第一部分的该半导体基底上的该衬绝缘层的表面共平面；移除该存储单元数组区的部分该绝缘插塞、部分该衬绝缘层和部分该第一罩幕层，至暴露出该第一部分的该半导体基底的边角；以及对该存储单元数组区的该半导体基底的边角进行第二圆化制程。