[发明专利]离子掺杂装置及离子掺杂装置用多孔电极有效
| 申请号： | 03156660.X | 申请日： | 2003-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN1495858A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 山内哲也 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李宗明;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种离子掺杂装置，本发明的课题在于：在与基片扫描方向正交方向的狭小范围内抑制离子注入量的偏差。本发明的离子掺杂装置具有使从设有多个电极孔(210)的多孔电极(200)引出的离子束向扫描的基片(300)照射的结构，由多个电极孔(210)构成的电极孔群(α...)中各电极孔(210)在与基片(300)扫描方向X正交的方向Y上错开位置配置以使电极孔群(α...)向基片(300)的离子注入量均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 掺杂 装置 多孔 电极 | ||
【主权项】：
1、一种离子掺杂装置，其特征在于：具有使从设有多个孔的电极引出的离子束向扫描基片照射的结构，所述电极具有由多个电极孔构成的电极孔群，该电极孔群的各电极孔在与基片扫描方向正交的方向上错开位置配置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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