[发明专利]常压体系合成高纯二硫化钴粉末的方法无效
| 申请号： | 03156711.8 | 申请日： | 2003-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN1594108A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 李强;唐威 | 申请（专利权）人： | 北京矿冶研究总院 |
| 主分类号： | C01G51/00 | 分类号： | C01G51/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100044*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于无机合成技术领域，特别涉及一种用单质粉末为原料，在常压体系下，经二次高温合成而得到高纯、细粒二硫化钴粉末的方法。该方法是在真空及在氩气或氮气等惰性气氛保护条件下进行的。该高纯二硫化钴粉末纯度大于99％，可用作高温热电池的正级材料。 | ||
| 搜索关键词： | 常压 体系 合成 高纯 硫化 粉末 方法 | ||
【主权项】：
1.一种常压体系合成高纯二硫化钴粉末的方法，其特征是：所述的方法步骤包括：(1).将高纯单质钴粉和硫磺粉混合均匀，放入耐高温容器中，其中硫磺粉的用量是理论重量的1～5倍；对系统进行真空脱气，然后在氩气或氮气惰性气氛保护下置于有温度梯度的马弗炉内，常压下在100～700℃范围内保持，将硫磺与产品进行分离，冷却至室温，经破碎得到粗品；(2).将步骤(1)得到的粗品研磨、过筛或分级，使产物颗粒小于0.074mm后重新放入耐高温容器中，在氩气或氮气惰性气氛保护下，置于马弗炉内，温度为100～700℃，将硫磺与产品进行分离，冷却至室温，即得到高纯二硫化钴粉末。
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