[发明专利]一种低温集成的圆片级微机电系统气密性封装工艺无效
| 申请号： | 03156716.9 | 申请日： | 2003-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN1594067A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 汪学方;张鸿海;刘胜;王志勇;马斌;贺德建 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学机械科学与工程学院 |
| 主分类号： | B81C5/00 | 分类号： | B81C5/00 |
| 代理公司： | 北京金信联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王鸿谋 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种低温集成的圆片级MEMS气密性封装工艺，包括以下步骤：1.在硅基片(1)上，蒸发淀积一层铝/铬层(2)；2.在铝/铬层(2)及MEMS器件(12)的上面，投铸一层光刻胶(3)，烘干；3.在硅基片(1)的上表面、铝/铬层(2)和光刻胶(3)上，蒸发淀积一层金/铬层(4)；4.在金/铬层(4)的周围涂铸一层树脂胶(5)；5.在树脂胶(5)中，电镀一层镍层(6)；6.暴露出铝/铬层(2)；7.形成牺牲孔(9)；8.将光刻胶(3)去掉；9.在原来铝/铬(2)层的位置，溅射淀积金/铬层(7)；10.电镀金层(8)，以封住牺牲孔(9)。本发明与现有技术相比，具有不变形、封装质量高、体积减小、工艺简单、成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 集成 圆片级 微机 系统 气密性 封装 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种低温集成的圆片级MEMS气密性封装工艺，其特征是：包括以下步骤：步骤(1)、在硅基片(1)上，蒸发淀积一层铝/铬层(2)；步骤(2)、在所述的铝/铬层(2)及MEMS器件(12)的上面，投铸一层光刻胶(3)，然后烘干，使所述的光刻胶(3)减薄；步骤(3)、在所述的硅基片(1)的上表面、铝/铬层(2)和光刻胶(3)上，蒸发淀积一层金/铬层(4)作为种子层；步骤(4)、在所述的金/铬层(4)的周围涂铸一层树脂胶(5)作为电镀模子；步骤(5)、在所述的树脂胶(5)中，电镀一层镍层(6)；步骤(6)、剥掉所述的镍层(6)周围的树脂胶(5)和部分的金/铬层(4)，以暴露出所述的铝/铬层(2)；步骤(7)、剥掉所述的整个铝/铬(2)层；形成牺牲孔(9)；步骤(8)、以显影液进入到内腔(10)中，将所述的光刻胶(3)去掉；步骤(9)、在原来铝/铬(2)层的位置、即牺牲孔(9)处，溅射淀积金/铬层(7)；步骤(10)、在所述的金/铬层(7)上的牺牲孔(9)处，电镀金层(8)，以封住所述的牺牲孔(9)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学机械科学与工程学院，未经华中科技大学机械科学与工程学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03156716.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
