[发明专利]静电放电保护电路有效

专利信息
申请号: 03156737.1 申请日: 2003-09-08
公开(公告)号: CN1596058A 公开(公告)日: 2005-03-16
发明(设计)人: 郑道;廖学坤 申请(专利权)人: 联发科技股份有限公司
主分类号: H05F3/02 分类号: H05F3/02;H02H9/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 潘培坤;楼仙英
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种使用漏极无硅化物隔离块设置的场效应晶体管的静电放电(Electro Static Discharge,ESD)保护电路,是与一内部电路(Internal circuit)电连接以用来保护该内部电路不至于因为一静电放电(ESD event)产生而影响其操作,其中内部电路包含有至少一信号输入端。静电放电保护电路包含有:一静电放电箝位电路(ESD clamp circuit),用于当有静电放电产生时,提供静电放电的一电流接地路径;以及至少一对PN面结型二极管(PN junction diode)以叠接(stacked)的方式使得一面结型二极管的P端与另一面结型的N端与信号输入端电连接。静电放电筘位电路所包含的至少一场效应晶体管(fieldeffecttransisor,FET)的漏极为一无硅化物隔离块(Non-Silicide block)设置的形式。
搜索关键词: 静电 放电 保护 电路
【主权项】:
1.一种静电放电保护电路,其特征在于包括:一对PN面结型二极管,是置有一信号输入端,以接收输入该静电放电保护电路的输入信号;及一静电放电箝位电路,是电性连接于该对PN面结型二极管,该静电放电箝位电路中设置有一晶体管,该晶体管为一漏极无硅化物隔离块的晶体管;当有静电放电现象产生时,由该静电放电箝位电路提供一电流接地路径将静电放电电流接地,以避免电路受损害。
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