[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 03156884.X | 申请日： | 2003-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1490820A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 大澤隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在形成在个单元阵列块B0～B7内的字线WL和第一位线1BL的交点位置配置存储单元MC。通过位线选择器200把多个第一位线1BL有选择地连接在第二位线2BL1、2BL2上。跨多个单元阵列块形成该第二位线2BL1、2BL2，分别连接在1个读出放大器SA上。据此，用1个读出放大器SA，能访问位于多个单元阵列块内的存储单元MC。削减半导体存储器件全体中的读出放大器SA的数量，谋求芯片的缩小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，其特征在于：包括：在半导体衬底上配置为矩阵状的多个存储单元，由具有漏极、源极、位于所述漏极和源极之间的电浮置状态的沟道体和形成在所述沟道体上的栅电极的MISFET构成，具有在所述沟道体中存储了多数载流子的第一状态和从所述沟道体释放了所述多数载流子的第二状态；连接在沿着第一方向配置的所述存储单元的所述栅电极上的多条字线；连接在与所述第一方向交叉的第二方向配置的所述存储单元的所述漏极上，形成在位于所述半导体衬底的上方的第一布线层中的第一位线；形成在位于所述第一布线层的上方的第二布线层中，通过位线开关连接在多条所述第一位线上的第二位线。
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