[发明专利]表面发射半导体激光器及其制造方法有效
| 申请号： | 03156934.X | 申请日： | 2003-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1508916A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 大森诚也 | 申请（专利权）人： | 富士施乐株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/18 | 分类号： | H01S5/18;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种表面发射半导体激光器包括：衬底、衬底上的半导体层叠层、在叠层上形成并具有激光发射窗的台体，和至少覆盖台体的侧面和外围部分的绝缘膜，该台体的外围部分由叠层形成。绝缘膜的末端被设置得比衬底的截断端更靠内。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 发射 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种表面发射半导体激光器，该激光器包括：衬底；衬底上的半导体层叠层；在该叠层上形成的并且具有激光发射窗的台体；以及至少覆盖台体的侧面和外围部分的绝缘膜，该台体的外围部分由叠层形成，该绝缘膜的末端比衬底的截断端更靠内。
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