[发明专利]无引线超薄型半导体桥式整流器及其制作方法

摘要

本发明关于一种无引线超薄型半导体桥式整流器及其制作方法，分别制作出一共N型双二极管硅晶粒、一共P型双二极管硅晶粒及一陶瓷板(或其它绝缘基板)，陶瓷板表面二对应侧上分别布设一导电线路，各导电线路的一端分别与一导电金属块相连接，导电金属块作为导电电极，该共N型双二极管硅晶粒的二个P型区与共P型双二极管硅晶粒的二个N型区，分别经高温平行焊接在各导电线路的另一端，构成一半导体桥式整流器的电路，然后一体封胶成形，使各该共N型双二极体硅晶粒的一个N接合面、共P型双二极体硅晶粒的一个P接合面与该二导电电极的表面，分别外露成形于该胶体上，即可制作出一单体无引线超薄型半导体桥式整流器成品。

主权项

1、一种无引线超薄型半导体桥式整流器的制作方法，其特征在于包括以下步骤：a.制作一共N型双二极管硅晶粒、一共P型双二极管硅晶粒及一绝缘基板，在该绝缘基板表面二对应侧上分别布设一导电线路，各该导电线路的一端分别与一导电金属块相连接，各该导电金属块作为导电电极；b.分别将该共N型双二极体硅晶粒的二个P型区与共P型双二极体硅晶粒的二个N型区，焊接在各该导电线路的另一端，使之构成一半导体桥式整流器的电路；c.对该半导体桥式整流器的电路施以一体封胶成形，使各该共N型双二极管硅晶粒的一个N接合面、共P型双二极体硅晶粒的一个P接合面与该二导电电极的表面，分别外露成形于该胶体上，以制作出一已完成封装的单体无引线超薄型半导体桥式整流器成品。