[发明专利]制作晶圆试片的方法及评估光罩图案间迭对位准的方法有效
| 申请号： | 03157469.6 | 申请日： | 2003-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1601379A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | 吴文彬;萧智元;毛惠民 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F9/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种评估两光罩间迭对位准的方法。首先，以具有第一光罩图案的第一光罩进行微影制程，以定义蚀刻晶圆而形成第一曝光图案。接着，在晶圆表面覆盖光阻层，并以具有第二光罩图案的第二光罩定义该光阻层而形成第二曝光图案。其次，量测晶圆上的第一曝光图案与第二曝光图案于X方向、Y方向或X与Y方向的偏移值。之后，校正该偏移值的曝光变形值(scaling)与迭对偏移值(overlay offset)以得到第一与第二光罩图案间的迭对位准。最后，判定迭对位准是否合于一定规格。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 试片 方法 评估 图案 对位 | ||
【主权项】：
1、一种评估光罩图案间迭对位准(mask registration)的方法，其特征在于包含下列步骤：以具有一第一光罩图案的一第一光罩进行微影制程，以定义蚀刻一晶圆而形成一第一曝光图案；在该晶圆表面覆盖一光阻层；以具有一第二光罩图案的一第二光罩定义该光阻层而形成一第二曝光图案；量测晶圆上的第一曝光图案与第二曝光图案于X方向、Y方向或X与Y方向的偏移值；校正该偏移值的曝光变形值(scaling)与迭对偏移值(overlayoffset)以得到第一与第二光罩图案间的迭对位准；以及判定该迭对位准是否合于一既定规格。
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