[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 03157707.5 | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1495866A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 大西贞之 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/3205;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。SiCN层108、BCB层110和MSQ层112按此顺序淀积在由阻挡金属层104和铜层106构成的铜互连线上。BCB层110通过等离子聚合含二乙烯基硅氧烷双苯并环丁烯单元的单体而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括半导体衬底和形成于所述半导体衬底之上的层间介电薄膜，所述层间介电薄膜由叠层构成，所述叠层主要包括：主要由分子中含有芳香环的硅基化合物构成的粘附膜，和与所述粘附膜接触且主要由特征介电常数不大于4的有机低介电常数材料制成的低介电常数薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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