[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 03157740.7 | 申请日： | 2003-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1508882A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 岩松俊明 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明旨在实现可使MOS晶体管的电流驱动力充分提高的半导体装置。在半导体衬底的表面的俯视图中，在MOS晶体管(TR1)的源/漏激活层(6c1、6d1)的角部施加倒角CN1。通过该倒角(CN1)，在源/漏活性层(6c1、6d1)与元件分离区域(5b)的分界上形成含钝角的状态。结果，在角部不存在锐角的部分，从而缓和了从元件分离区(5b)加到源/漏激活层(6c1、6d1)的应力。因此，能够降低该应力对MOS晶体管(TR1)的电学特性的影响，实现电流驱动力充分提高的MOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中：设有包含形成在半导体衬底的表面内的源/漏激活层的MIS晶体管，以及在所述半导体衬底的所述表面内与所述源/漏激活层相接地形成的元件分离区；在所述半导体衬底的所述表面的俯视图中，所述源/漏激活层和所述元件分离区之间以至少包含一个钝角或曲线的分界相接；在所述半导体衬底的所述表面的俯视图中，所述钝角或曲线是施加在所述源/漏激活层角部的倒角形状。
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