[发明专利]非挥发性存储器阵列结构有效
| 申请号： | 03157760.1 | 申请日： | 2003-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1591874A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 易成名;陈辉煌;高瑄苓 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种低源极片阻抗的非挥发性存储器阵列结构。本发明主要是使用一埋入式传导区域来作为一非挥发性存储器阵列结构的源极线。上述的埋入式传导区域具有与现有技术的源极线不同的几何形状。所以，上述的埋入式传导区域可以具有比现有技术的源极区域更低的源极片阻抗，进而可以改变上述非挥发性存储器阵列结构的可靠度与操作效能。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 阵列 结构 | ||
【主权项】：
1.一种非挥发性存储器阵列结构，包含：一底材；多组隔离元件，是位于该底材中；一埋入式传导区域位于该隔离元件之间，其中该埋入式传导区域是与该隔离元件垂直；及多组栅极结构，是位于该底材上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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