[发明专利]超声波接合方法及超声波接合装置无效
| 申请号： | 03157789.X | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1490859A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 东山祐三 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L21/607 | 分类号： | H01L21/607 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 侯佳猷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种向接合构件(4)施加超声波振动、使其与被接合面(2)接合的超声波方法，接合构件(4)的超声波振动方向的两侧面由附加所定超声波振动的附加构件(10、17)和夹持构件(35、37)所夹持。夹持构件(35、37)利用从附加构件(10、17)经由接合构件(4)传递的超声波振动进行同步振动，并在将接合构件(4)推压至附加构件(10、17)的状态下将接合构件(4)与被接合面(2)接合。由此，可高效率地将附加构件的超声波振动传递给接合构件，可得到良好的接合品质，并且不需要在接合构件上进行倒角部等特殊性加工，可防止接合构件的倾斜、裂开和缺陷等发生。 | ||
| 搜索关键词： | 超声波 接合 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种超声波接合方法，系向接合构件施加超声波振动、使其与被接合面接合，其特征在于，所述接合构件的超声波振动方向的两侧面由附加所定超声波振动的附加构件和夹持构件所夹持，所述夹持构件利用从所述附加构件经由接合构件传递的超声波振动设定成与附加构件的同一方向且以大致同一的振幅进行同步振动，所述夹持构件在将接合构件推压至附加构件的状态下将接合构件与被接合面接合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
