[发明专利]功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 03157798.9 | 申请日： | 2003-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1591900A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 陈世芳;张鼎张 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑特强 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法利用一多晶硅锗闸极取代现有沟渠双扩散晶体管中的多晶硅闸极。其先提供一第一导电类型的基材，再在该基材上形成一第一导电类型的磊晶层，并在此磊晶层之上形成一第二导电类型的主体区域。然后蚀刻此主体区域及磊晶层而形成一沟渠，再在此沟渠的表面形成一绝缘层作为沟渠的衬垫。而后，在主体区域之中与沟渠相邻的位置形成第一导电类型的源极区域。最后，在沟渠之中沉积一多晶硅锗材质，以作为此沟渠双扩散晶体管的闸极。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，其至少包含：一第一导电类型的基材；一位于该基材之上且属于该第一导电类型的磊晶层；一位于该磊晶层之上且属于一第二导电类型的主体区域；至少一穿透该主体区域并延伸至该磊晶层的沟渠；一作为该沟渠的衬垫的绝缘层；至少一位于该主体区域并与该沟渠相邻且属于该第一导电类型的源极区域；以及一位于该沟渠之中并覆盖在该绝缘层之上的多晶硅锗闸极区域。
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