[发明专利]整合闪存与高电压组件的制造方法有效
| 申请号： | 03157989.2 | 申请日： | 2003-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1591825A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 吴浩铨;曾健庭;何大椿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑特强;楼仙英 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种整合闪存与高电压组件的制造方法，可使闪存的氧化层制造与高电压组件的氧化层制造整合于同一制程中。首先，使闪存位于浮置闸极与控制闸极之间的氧化层长成一厚度。接着，形成高电压组件的闸极氧化层，并且在高电压组件的闸极氧化层的形成步骤中，也同时增厚之前所形成的氧化层至所需厚度。借此，可避免闪存区需遭受另外的热制程而影响其质量。 | ||
| 搜索关键词： | 整合 闪存 电压 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种整合闪存与高电压组件的制造方法，其特征在于，该制造方法至少包含：提供一基材，该基材至少包含一高电压组件区与至少一闪存区；形成一浮置闸极层于该基材上；定义出至少一闸极闪存的位置于该闪存区中；形成一闸极介电层于该闪存区中的部分该浮置闸极层上；去除该高电压组件区中的部分浮置闸极层，以定义出至少一高电压组件的一操作区；以及形成一闸极氧化层于该高电压组件区的该操作区中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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