[发明专利]图形形成方法

摘要

本发明提供一种图形形成方法，是在使用由ArF准分子激光感光用的抗蚀剂材料构成的抗蚀剂图形进行刻蚀的工序中，能够防止抗蚀剂坍塌，在被刻蚀膜中可靠地得到各向异性形状，同时能够控制图形的尺寸。在将形成了抗蚀剂图形(16)的晶片(11)投入到干法刻蚀装置中，以抗蚀剂图形(16)作为刻蚀掩模，对反射防止膜(15)及氮化硅膜(14)进行干法刻蚀。据此，对晶片(11)的中心，相对厚地附着堆积在抗蚀剂图形(16)的内侧的第1堆积物(17A)和堆积在它的外侧的第2堆积物(17B)的任何一个。这时的刻蚀气体使用SF₆、CHF₃及Ar的混合气体。

主权项

1、一种图形形成方法，其特征在于：具备：在晶片上形成被刻蚀膜的第1工序、在所述被刻蚀膜上形成抗蚀剂图形的第2工序，该抗蚀剂图形由对ArF准分子激光或者具有比它的波长更短波长的曝光光感光的抗蚀剂材料构成、将所述抗蚀剂图形作为掩模，对所述被刻蚀膜进行刻蚀的第3工序；所述第3工序是一边在具有对所述抗蚀剂图形中的至少所述晶片的径向垂直的侧面部分的两侧面上堆积相对厚的堆积物，一边对所述被刻蚀膜进行刻蚀。