[发明专利]膜形成方法无效
申请号: | 03158133.1 | 申请日: | 2003-09-12 |
公开(公告)号: | CN1494171A | 公开(公告)日: | 2004-05-05 |
发明(设计)人: | 奥山智幸 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L51/40 | 分类号: | H01L51/40;H01L51/00;H01L21/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种膜形成方法,其特征在于,具有:通过向并苯类化合物提供光或/和热,使之进行环化加成反应,从而生成可溶解于溶剂的环化体的工序;在基材上设置含所述环化体和可溶解所述环化体的溶剂的液体层的工序;向该液体层提供光或/和热,生成由并苯类化合物组成的固体的工序。本发明提供了可以用液相工艺形成含有并苯类化合物的膜的膜形成方法。 | ||
搜索关键词: | 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种膜形成方法,其特征在于,具有:向用下记通式(I)表示的第1化合物及用下记通式(II)表示的第2化合物提供光或/和热,生成由所述第1化合物和所述第2化合物发生环化加成而成的环化体的工序;在基材上设置含所述环化体和可溶解所述环化体的溶剂的液体层的工序;向该液体层提供光或/和热,生成含有所述第1化合物和所述第2化合物的固体的工序;[化1]式中,R1、R2、R3及R4相同或不相同,其原子数在1以上且18以下,且具有1个以上选自下记A组的原子或部位,苯环上的氢原子可以被取代,A组由氢原子、卤原子、烷烃部位、烯烃部位、醚部位、缩醛部位、羰基部位、氨基部位、酰胺部位、酯部位、碳酸酯部位、亚胺部位、及酸酐部位构成;n1、n2、n3、n4分别为0以上的整数,且n1+n2和n3+n4中至少有1个在2以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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