[发明专利]等离子平板显示器驱动芯片用的高压器件结构及其制备方法

摘要

平板显示器行扫描驱动芯片用的高压器件结构含P型衬底，衬底上有高压P型横向MOS管和纵向管，其间设深P型隔离环，纵向管含衬底上的N型重掺杂埋层，埋层上有N型外延层，外延层上设场氧化层，外延层上设P型阱，P型阱内设N型源和P型接触层，埋层上设深N型连接层，连接层上方设N型漏，N型漏及接触层位于场氧两侧，外延层上方设多晶硅栅，在多晶硅栅与外延层之间设栅氧，场氧、接触层及多晶硅栅上方设氧化层。方法：P型衬底制N埋层；生长N外延；制隔离环和连接层；外延上制P管P漂，制N管P型阱、P型场限环和P管的N阱和P型缓冲层，P型场限环位于场氧下方；长场氧；制P管厚栅氧及N管薄栅氧；氧化层制多晶硅栅和P管场极板。

主权项

1、一种等离子平板显示器驱动芯片用的高压器件结构，至少包含1个芯片单元，该芯片单元包括P型衬底(1)，其特征在于在P型衬底(1)上设有高压P型横向MOS管(2)和纵向MOS管(3)，在高压P型横向MOS管(2)和高压型纵向MOS管(3)之间设有深P型隔离环(4)，高压N型纵向MOS管(3)包括设在P型衬底(1)上的N型重掺杂埋层(31)，在N型重掺杂层(31)上设有N型外(32)，在N型外延层(32)的外有源器件区域表面设有场氧化层(33)，在N型外(32)的有源器件区域表面设有P型阱(341)，在P型阱(341)内设有N型源(3411)和P型接触层(3412)，在N型重掺杂埋层(31)上设有深N型连接层(35)，在深N型连接层(35)上方设有N型漏(351)，N型漏(351)及P型接触层(3412)分别位于场氧化层(33)的两侧，在N型外延层(32)上的N型源和P型接触层以外的有源器件区域上方设有多晶硅栅(37)，在多晶硅栅(37)与N型外(32)之间设有薄栅氧化层(36)，在场氧化层(33)的上方、P型接触层(3412)的上方及多晶硅栅(37)的上方设有氧化层(38)。