[发明专利]双栅高压N型金属氧化物半导体管

摘要

双栅高压N型金属氧化物半导体管，至少含1个器件单元，该单元含P型衬底，P型衬底上有N型重掺杂埋层，埋层上设N型外延层，外延层上设深N型漏连接层，连接层上方设N型源区，外延层表面的非有元器件区域上设场氧，外延层表面的有源器件区域内设P阱，P阱内设N型源区，N型源区以外有源器件区域上方设多晶硅栅且多晶硅栅与N型源区以外的有源器件区域间设栅氧，场氧、多晶硅栅上方及多晶硅栅下方以外的其他有源器件区域上设氧化层，在N型漏、源区上分别有铝引线，N型源区由N型源和P阱接触层组成，P阱接触层设在N型源之间，外延层有源器件区域内且位于源区和P阱的侧旁设孔，孔内设纵向多晶硅栅，纵向多晶硅栅与孔之间设纵向栅氧化层。

主权项

1.一种属于高压器件的双栅高压N型金属氧化物半导体管，至少包括1个器件单元，该器件单元包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上有N型重掺杂埋层(2)，在N型重掺杂埋层之上设有N型外延层(3)，N型外延层(3)上设有深N型漏连接层(4)，在深N型漏连接层(4)上方设有N型源区(5)，在N型外延层(3)表面的非有元器件区域上设有场氧化层(6)，在N型外延层(3)表面的有源器件区域内设有P阱(7)，在P阱(7)内设有N型源区，在N型源区以外的有源器件区域上方设有多晶硅栅(8)且在多晶硅栅(8)与上述N型源区以外的有源器件区域之间设有栅氧化层(9)，在场氧化层(6)上方、多晶硅栅(8)上方及多晶硅栅(8)下方以外的其他有源器件区域(I)上设有氧化层(10)，在N型漏(5)、N型源区上分别设有铝引线(11和12)，其特征在于N型源区由N型源(13和14)和P阱接触层(15)组成，P阱接触层(15)设在N型源(13和14)之间，在N型外延层(3)的有源器件区域内且位于N型源区和P阱(7)的侧旁设有孔(16)，在孔(16)内设有纵向多晶硅栅(17)，在纵向多晶硅栅(17)与孔(16)的内壁及孔底之间设有纵向栅氧化层(18)。