[发明专利]制作半导体器件的方法和生成掩膜图样的方法无效
| 申请号： | 03158611.2 | 申请日： | 2003-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN1495875A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 向井清士;谷本正;伊藤光实 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王玮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体衬底被至少一个槽分成面积较大的第一区和面积较小的第二区。在包含所述槽的内部的半导体衬底表面上形成绝缘膜。利用具有格子窗图样的蚀刻掩膜使所述绝缘膜受到蚀刻，其中，在第一区中，以形成与所述格子窗图样相应的多个开孔的形式形成所述格子窗图样。作为选择，利用具有单独一个开孔图样和格子窗图样的蚀刻掩膜，在第一区中形成与单独一个开孔图样对应的多个开孔，并且使绝缘膜受到蚀刻，其中，在第二区中，以形成与所述格子窗图样相应的多个开孔的形式形成所述格子窗图样。在这两种情况下，都将多余的绝缘膜抛光去掉。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 半导体器件 方法 生成 图样 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体器件的方法，其特征在于，它包括如下步骤：第一步，形成至少一个分区槽，用以把半导体衬底的表面分成具有相对较大面积的第一区和具有相对较小面积的第二区；第二步，在包含所述分区槽内部的半导体衬底的表面上形成绝缘膜；第三步，利用具有格子窗图样的蚀刻掩膜使所述绝缘膜受到蚀刻，其中，在第一区中，以形成与所述格子窗图样相应的格子开口的形式形成所述格子窗图样；第四步，使半导体衬底上多余的绝缘膜被抛光掉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
