[发明专利]应用于选择性盖顶和化学镀层的铜凹陷工艺有效
| 申请号： | 03158757.7 | 申请日： | 2003-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1508869A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 陈行聪;蒂莫西·J·多尔顿;肯尼思·M·戴维斯;胡朝坤;芬·F·杰米恩;斯蒂芬·K·卡尔多;马哈德韦耶·克里什南;考希克·库马;迈克尔·F·洛法罗;桑德拉·G·马洛特拉;钱德拉塞卡·纳拉延;戴维·L·拉思;朱迪思·M·鲁比诺;凯瑟琳·L·萨恩格;安德鲁·H·西蒙;西恩·P·E·史密斯;曾伟志 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路结构，其具有一层逻辑和功能器件，以及位于逻辑和功能器件层上的互连层。该互连层具有衬底、衬底中的导电部件、以及仅沉积在导电部件上的帽层。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 选择性 化学 镀层 凹陷 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：至少一层逻辑和功能器件；以及所述逻辑和功能器件层上的至少一个互连层；其中，所述互连层包括：衬底；所述衬底中的导电部件；以及仅沉积在所述导电部件上的帽层。
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