[发明专利]半导体存储器

摘要

本发明的课题是抑制半导体存储器、特别是SRAM的位线中的信号电平的下降。该半导体存储器的特征在于，具备：存储单元阵列，在半导体衬底上以二维方式排列了具备6个晶体管11a、11b、12a、12b、13a、13b的存储单元；多条字线，连接到以二维方式配置的上述各存储单元上，沿第1方向互相平行地配置；以及多条位线，连接到上述各存储单元上，沿与上述第1方向正交的第2方向互相平行地配置，连接到一个存储单元的上述各晶体管上的全部的栅电极布线3a、3b、3c、3d排列在与上述第1方向平行的同一直线上。

主权项

1.一种半导体存储器，其特征在于：具备：存储单元阵列，在半导体衬底上以二维方式排列了具备6个晶体管的存储单元；多条字线，连接到以二维方式配置的上述各存储单元上，沿第1方向互相平行地配置；以及多条位线，连接到上述各存储单元上，沿与上述第1方向正交的第2方向互相平行地配置，连接到一个存储单元的上述各晶体管上的全部的栅电极布线排列在与上述第1方向平行的同一直线上。