[发明专利]可弹性改变频率的DRAM更新结构无效
| 申请号： | 03158924.3 | 申请日： | 2003-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN1595530A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 丁达刚;夏濬;刘士晖 | 申请（专利权）人： | 钰创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/406 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 吴林松 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种方法与装置，用以提供动态随机存取记忆体更新工作及待命模式中不同的频率。此外，本发明在工作及待命模式中利用不同频率以达到最佳化电力消耗及动态随机存取记忆体资料完整性。该工作模式更新频率比待命模式更新频率高。工作模式更新频率比先前技术的工作模式更新频率高。待命模式更新频率比先前技术的待命模式更新频率低。较高的工作模式更新频率准许因连接被选定的邻接字组线所产生电容放电而降低的储存格资料，以较快的速度还原。较低的待命模式更新频率提供较低的待命模式电力消耗，以补偿由较高工作模式更新频率所造成的高电力消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 弹性 改变 频率 dram 更新 结构 | ||
【主权项】：
1.一种提供动态随机存取记忆体工作模式及待命模式更新弹性频率的方法，包括有以下步骤：提供比待命模式更新频率更高的一更新频率给工作模式。
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