[发明专利]在写入器间隙具有高磁矩材料的写入磁头写入器及相关工艺无效
| 申请号： | 03159375.5 | 申请日： | 2003-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1494057A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | V·A·法斯科;F·E·斯特奇伯格;王峰;V·S·孔;D·J·达默;M·L·普卢默 | 申请（专利权）人： | 西加特技术有限责任公司 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127;G11B5/23 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 谢喜堂 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在间隙下实现具有整体平面设计和开口高度以及凹口宽度的严密尺寸控制的磁记录头。写入器磁极包括在写入器间隙两侧上的高磁极材料。此外，定型磁极梢来提供用于最佳写入条件的具有良好的空间梯度的高磁场，由此扩展用于高密度和高频率应用中的纵向记录头的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 写入 间隙 具有 高磁矩 材料 磁头 相关 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种具有磁开口高度的磁写入元件，其特征在于，所述元件包含：下磁极，它包括： 由第一材料形成的下磁极层， 由第二材料形成的下磁极层延伸段， 在下磁极延伸段上由第三材料形成的第一高磁矩层，其中，第一高磁矩层具有确定磁开口高度的外形；复合上磁极，它包括： 由第四材料形成的第一磁层， 由第五材料形成的第二高磁矩层，其中，第二高磁矩层和第一高磁矩层一起确定写入间隙。
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