[发明专利]非易失性存储器无效
| 申请号： | 03159469.7 | 申请日： | 2003-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1501405A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 樱井良多郎;田中均;野田敏史;重松孝次 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技;日立超大规模集成电路系统株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 将诸如闪速存储器这样的电可编程和可擦除非易失性半导体存储器被设计为一种结构，在这种结构中，当对非易失性半导体存储器中使用的存储单元执行写入或擦除操作的过程中出现断电时，中断当前正在执行的操作，执行一个反写操作，以反向改变该存储单元的门限电压。另外，该结构还允许根据电源电压的电平来改变内部电源结构内的电荷泵级数，以便可以正确执行反写操作。结果，即便在写入或擦除操作期间出现了断电，也没有存储单元处于耗尽状态。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器，允许将信息电写入其中和对存储在其中的信息进行电擦除，包括：一个包含多个非易失性存储单元的存储器阵列，其中每个存储单元都用于存储作为其门限电压的信息，所述非易失性半导体存储器允许以预定单位写入信息，和以所述单位擦除所存储的信息，其中：在所述多个非易失性半导体存储单元中的任何一个特定单元上执行写入或擦除操作期间出现断电的情况下，中断当前正在执行的所述写入或擦除操作，并在所述的特定非易失性存储单元上执行一个反写操作，以便按照提升所述门限电压的方向来改变所述的特定非易失性半导体存储单元的所述门限电压。
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