[发明专利]具有受应力通道的场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 03159717.3 | 申请日： | 2003-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1507071A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 布鲁斯·B·多丽丝;杜尔塞蒂·奇达姆巴拉奥;泽维尔·贝依;杰克·A·曼德尔曼;德文德拉·K·萨达纳;多米尼克·J·谢皮斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有由于电流通道22中的应力而增大的电荷载流子迁移率的场效应晶体管。应力沿电流流动方向(纵向)。在PFET器件中，应力为压力；而在NFET器件中，应力为拉力。应力通过通道下区域32中的压缩膜34而建立。压缩膜向上推起通道22，并导致了通道22的弯曲。在PFET器件中，压缩膜位于通道的端部31下(即位于源极和漏极下)，从而导致通道上部22A中的压缩。在NFET器件中，压缩膜位于通道的中部40下(即位于栅极下)，从而导致通道上部中的拉伸。因此，NFET和PFET器件都可被增强。本发明还公开了一种制造该器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应力 通道 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：a)通道；b)通道下的底切区；c)设置于通道上方的栅极电极；以及d)底切区中的压缩膜，其中，压缩膜在通道位于栅极电极下的区域中建立了纵向应力。
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