[发明专利]用于等离子体掺杂的方法和装置无效
申请号: | 03159751.3 | 申请日: | 2003-09-24 |
公开(公告)号: | CN1577746A | 公开(公告)日: | 2005-02-09 |
发明(设计)人: | 奥村智洋;中山一郎;水野文二 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/223 | 分类号: | H01L21/223 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 刘晓峰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 根据一种用于注入杂质的方法,基片被定位在安装于腔体中的工作台上,所述腔体将被抽成真空且被输入所要注入的杂质。第一高频电源被加载到等离子体产生元件上,从而产生等离子体,以使腔体中的杂质被注入到基片中。另外,第二高频电源被加载到工作台上。对腔体中等离子体的状态和工作台中的电压和电流进行检测。控制器根据检测到的等离子体的状态和/或检测到的电压或电流,对第一和第二高频电源中的至少一个进行控制,从而控制所要注入杂质的注入浓度。 | ||
搜索关键词: | 用于 等离子体 掺杂 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于等离子体注入的装置,其包括:其内部限定有真空腔体的真空容器;安装在腔体中用于支承要被注入杂质的基片的工作台;安装在腔体外的等离子体产生元件;用将第一高频电能加载到所述元件上以在腔体中产生等离子体的第一电源;用于将第二高频电能加载到所述工作台上的第二电源;用于检测等离子体状态的第一检测器;用于检测工作台中的电压或电流的第二检测器;和控制器,其用于根据由第一检测器检测到的等离子体的状态和/或由第二检测器检测到的电压或电流,来对第一和第二高频电源中的至少一个进行控制,从而控制所要注入杂质的注入浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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