[发明专利]电子束聚焦设备及使用该设备的电子束投影微影系统无效

专利信息
申请号: 03159790.4 申请日: 2003-09-25
公开(公告)号: CN1527358A 公开(公告)日: 2004-09-08
发明(设计)人: 文昌郁;柳寅儆;金东煜 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01L21/30;G03F7/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 马高平;杨梧
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种电子束聚焦设备在电子束投影微影系统中控制由发射器发射的电子束的路径,该设备有:顶部和底部磁铁,放在装晶片真空室的上面和下面,顶部和底部磁铁产生真空室内的磁场;上部和下部磁极片,从真空室顶部和底部伸出,与底部和底部磁铁磁性地接触;及上部和下部环形伸出部,从上部和下部磁极片相互面对的表面上伸出。所述微影系统包括:围出一放置一晶片空间的真空室;发射器,它在真空室内以预定距离对着晶片分开地设置,发射电子束到晶片上;及有上述结构的电子束聚焦设备。电子束聚焦设备及使用该设备的所述影微影系统能在晶片和电子束发射器之间提供均匀的电/磁场并减小由于真空室振动引起的电子束路径的弯曲。
搜索关键词: 电子束 聚焦 设备 使用 投影 系统
【主权项】:
1.一种用于控制电子束投影微影系统的电子束发射器发发射的电子束路径的电子束聚焦设备,该设备包括:顶部和底部磁铁,它们分别放在装晶片的真空室的上面和下面,所述顶部和底部磁铁用于产生真空室内的磁场;上部和下部磁极片,它们分别从所述真空室顶部和底部伸出,并且分别与所述底部和底部磁铁磁性地接触;及上部和下部环形伸出部,从所述上部和下部磁极片相互面对的表面上伸出。
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