[发明专利]电子束聚焦设备及使用该设备的电子束投影微影系统无效
申请号: | 03159790.4 | 申请日: | 2003-09-25 |
公开(公告)号: | CN1527358A | 公开(公告)日: | 2004-09-08 |
发明(设计)人: | 文昌郁;柳寅儆;金东煜 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/30;G03F7/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 马高平;杨梧 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种电子束聚焦设备在电子束投影微影系统中控制由发射器发射的电子束的路径,该设备有:顶部和底部磁铁,放在装晶片真空室的上面和下面,顶部和底部磁铁产生真空室内的磁场;上部和下部磁极片,从真空室顶部和底部伸出,与底部和底部磁铁磁性地接触;及上部和下部环形伸出部,从上部和下部磁极片相互面对的表面上伸出。所述微影系统包括:围出一放置一晶片空间的真空室;发射器,它在真空室内以预定距离对着晶片分开地设置,发射电子束到晶片上;及有上述结构的电子束聚焦设备。电子束聚焦设备及使用该设备的所述影微影系统能在晶片和电子束发射器之间提供均匀的电/磁场并减小由于真空室振动引起的电子束路径的弯曲。 | ||
搜索关键词: | 电子束 聚焦 设备 使用 投影 系统 | ||
【主权项】:
1.一种用于控制电子束投影微影系统的电子束发射器发发射的电子束路径的电子束聚焦设备,该设备包括:顶部和底部磁铁,它们分别放在装晶片的真空室的上面和下面,所述顶部和底部磁铁用于产生真空室内的磁场;上部和下部磁极片,它们分别从所述真空室顶部和底部伸出,并且分别与所述底部和底部磁铁磁性地接触;及上部和下部环形伸出部,从所述上部和下部磁极片相互面对的表面上伸出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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