[发明专利]用于电子束投影式微影系统的发射器及其制造方法无效
| 申请号： | 03159791.2 | 申请日： | 2003-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1531020A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 柳寅儆;文昌郁;郑守桓;金东煜 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/30;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马高平;杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了用于电子束投影式微影系统的发射器和其制造方法。该电子束发射器包括一基板，一覆盖在基板上的绝缘层，及一门电极，它包括一以均匀厚度形成在所述绝缘层上的基层和一以预定图案在所述基层上形成的电子束阻挡层。一种制造方法包括以下步骤：准备基板；在所述基板上形成绝缘层；以预定厚度在所述绝缘层上淀积导电金属而形成一所述门电极的基层；以预定厚度在所述基层淀积能够阳极化的金属而形成一所述门电极的电子束阻挡层；及通过刻蚀在所述电子束阻挡层上刻蚀出预定的图案。所述发射器能够提供均匀电场并提供简化的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子束 投影 式微 系统 发射器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一用于电子束投影式微影术系统的发射器，其中包括：一基板；一覆盖在基板上的绝缘层；及一门电极，包括一以均匀厚度形成在所述绝缘层上的基层和一以预定图案在所述基层上形成的电子束阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
