[发明专利]浅槽隔离区与动态随机存取存储器的结构及其制造方法有效
| 申请号： | 03159796.3 | 申请日： | 2003-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1601719A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | 李岳川;陈世芳 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种浅槽隔离区与动态随机存取存储器的结构及其制造方法。其中，首先在一衬底上形成一图案化的掩模层，接着进行一离子注入步骤，以在未被掩模层覆盖的衬底中形成一掺杂区。之后进行一蚀刻步骤以图案化衬底，而在衬底中形成一沟槽，其中沟槽的底部暴露出掺杂区。然后，于沟槽内填入一绝缘层以形成一浅槽隔离区。本发明仅在浅槽隔离区的底部处形成有掺杂区，而不会于浅槽隔离区的侧壁处形成有掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 动态 随机存取存储器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种浅槽隔离区的制造方法，该浅槽隔离区用以定义出一有源区，该方法包括：在一衬底上形成一图案化的掩模层；在未被该掩模层覆盖的该衬底中形成一掺杂区；在该衬底中形成一沟槽，其中该沟槽的底部暴露出该掺杂区；以及在该沟槽内填入一绝缘层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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