[发明专利]单层三相用突波吸收器及其制造方法有效
申请号: | 03159802.1 | 申请日: | 2003-09-25 |
公开(公告)号: | CN1641799A | 公开(公告)日: | 2005-07-20 |
发明(设计)人: | 许荣辉 | 申请(专利权)人: | 许荣辉 |
主分类号: | H01C7/10 | 分类号: | H01C7/10;H01C7/12 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 台湾省台北县新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是提供一种单层三相用突波吸收器,其至少包括:单层氧化锌陶瓷体;第一电极层,其上具有彼此分离的第一电极及第二电极,且于该第一电极及该第二电极上分别具有第一端子及第二端子;第二电极层,其上具有彼此分离的第三电极及第四电极,且于该第四电极上具有第三端子;以及导电通路,耦接于该第一电极及该第三电极之间,使该第一电极及该第三电极形成导电通路。此外,本发明亦揭露一种单层三相用突波吸收器的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 单层 三相 用突波 吸收 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种单层三相用突波吸收器,其特征在于,至少包括:一单层氧化锌陶瓷体;一第一电极层,置于该单层氧化锌陶瓷体的一表面上,其上具有彼此分离的一第一电极及一第二电极,且于该第一电极及该第二电极上分别具有一第一端子及一第二端子;一第二电极层,置于该单层氧化锌陶瓷体的另一表面上,其上具有彼此分离的一第三电极及一第四电极,且于该第四电极上具有一第三端子;以及一导电通路,耦接于该第一电极及该第三电极之间,使该第一电极及该第三电极形成导电通路。
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