[发明专利]引入了晶体管的扩散长度依赖性的电路仿真装置以及用于生成晶体管模型的方法无效
| 申请号： | 03159828.5 | 申请日： | 2003-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1497481A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 清水卓;坂本浩则 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据从MOS晶体管的晶体管模型的参数以及具有多种扩散长度的晶体管的参数中提取的扩散－长度－依赖性参数的数据，扩散－长度－依赖性参数校正单元生成扩散长度与这些参数的依赖性的近似表达式，并通过使用生成的近似表达式而计算要用于替代原始参数值的参数校正值。于是，可以容易地使用校正值替代原始参数值，从而可以容易地生成具有不同扩散长度DL的MOS晶体管的晶体管模型。于是可以实现考虑了MOS晶体管的漏电流对于扩散长度的依赖性的电路仿真，从而能够得到高精确仿真。 | ||
| 搜索关键词： | 引入 晶体管 扩散 长度 依赖性 电路 仿真 装置 以及 用于 生成 模型 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电路仿真装置，包括：仿真执行单元，其读取存储有待仿真电路的连接描述的电路网络列表，并通过参考晶体管模型而计算所述待仿真电路的电流和电压的变化；扩散-长度-依赖性参数校正单元，其生成与扩散-长度-依赖性参数相关的经校正的近似表达式，并通过使用所述近似表达式对于扩散长度不同于所述晶体管模型的晶体管模型来计算所述扩散-长度-依赖性参数的校正值，其中扩散-长度-依赖性参数的值依赖于基于具有预定扩散长度的晶体管而生成的晶体管模型的扩散长度而变化。
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