[发明专利]制造自对准交叉点存储阵列的方法

摘要

一种制造自对准交叉点存储阵列的方法包括：制备一衬底，包括形成任何支撑电极结构；在衬底上形成一p型阱区域；注入离子形成一深N⁺型区域；注入离子在N⁺型区域上形成一浅P⁺型区域从而形成P⁺/N结；在P⁺型区域沉积一阻挡金属层；在阻挡金属层沉积一底部电极层；在底部电极层沉积一牺牲层或氮化硅层；形成图形并对此结构进行刻蚀，从而移走牺牲层、底部电极层、阻挡金属层、P⁺型区域和N⁺型区域部分，形成一个沟槽；沉积氧化物填充沟槽；沉积一与剩余底部电极层自对准的PCMO层；沉积一顶部电极层；形成图形并对顶部电极层进行刻蚀；以及，完成存储阵列结构。

主权项

1、一种制造自对准交叉点存储阵列的方法，包括：(a)制备一衬底，包括形成任何支撑电极结构；(b)在衬底上形成一p型阱区域；(c)注入离子，以形成深N+型区域；(d)注入离子，以在N+型区域上形成一浅P+型区域，从而形成P+/N结；(e)在P+型区域沉积一阻挡金属层；(f)在阻挡金属层沉积一底部电极层；(g)在底部电极层沉积一牺牲层；(h)形成图形并对在由步骤(a)-(g)得到的结构进行刻蚀，从而移走牺牲层、底部电极层、阻挡金属层、P+型区域和N+型区域部分，形成一个沟槽；(i)沉积氧化物，以填充沟槽；(j)形成图形并对牺牲层进行刻蚀；(k)沉积与剩余底部电极层自对准的PCMO层；(l)沉积一顶部电极层；(m)形成图形并对顶部电极层进行刻蚀，以及(n)完成存储阵列结构。