[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 03159897.8 | 申请日： | 2003-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1494152A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 筒江诚;薮俊树;加藤义明;上田哲也;濑尾晓 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/822;H01G4/33 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法，在具有MIM电容的半导体装置中形成高容量高可靠性的MIM电容。本发明的半导体装置备有设置在半导体基片(101)上的层间绝缘膜(204)和埋入上述层间绝缘膜(204)，与上述半导体基片(101)导通的配线(208a)、(208c)，MIM电容(201)具有由金属构成的第1和第2电极(208b)、(214b)和由电介质构成的电容绝缘膜(210)，上述第1电极(208b)埋入上述层间绝缘膜(204)中，上述电容绝缘膜(210)设置在上述第1电极(208b)上，上述第2电极(214b)是通过上述电容绝缘膜(210)与上述第1电极(208b)对置设置的金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.具有MIM电容的半导体装置，其特征是：备有设置在半导体基片上的层间绝缘膜、和埋入上述层间绝缘膜，与上述半导体基片导通的配线，上述MIM电容具有由金属构成的第1和第2电极和由电介质构成的电容绝缘膜，上述第1电极埋入上述层间绝缘膜中，上述电容绝缘膜设置在上述第1电极上，上述第2电极是通过上述电容绝缘膜与上述第1电极对置设置的金属层。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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