[发明专利]薄膜晶体管阵列衬底及其制造方法有效
| 申请号： | 03160024.7 | 申请日： | 2003-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1512248A | 公开（公告）日： | 2004-07-14 |
| 发明（设计）人： | 吴载映;南承熙 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列衬底及其制造方法，在使用钠钙玻璃作为衬底的情况下能够利用吸收效应或中和作用防止衬底中所含的流动离子渗入半导体层。该方法包括在衬底上形成一个缓冲层；在缓冲层中掺杂杂质离子；并且在缓冲层上形成一个象素电极和一个包括半导体层的薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作薄膜晶体管阵列衬底的方法，包括：在衬底上形成一个缓冲层；和在缓冲层中安置杂质离子；和在缓冲层上形成一个象素电极和一个包括半导体层的薄膜晶体管。
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