[发明专利]非易失半导体存储装置及其制造方法

摘要

本发明旨在获得具有良好的电学特性的非易失半导体存储装置及其制造方法。本发明的半导体装置设有：含两个沟(2a、2b)的半导体衬底(1)、在沟(2a、2b)的内部形成的隔离氧化膜(5a、5b)、浮置栅极(7a～7c)、ONO膜(8)及控制栅电极(9)。隔离氧化膜(5a、5b)的上部表面的区域(33)成为下凸的曲面状。浮置栅电极(7b)，从位于两个沟之间的半导体衬底(1)的主表面上延伸至两个隔离氧化膜(5a、5b)上部，且具有平坦的上部表面。ONO膜(8)，从浮置栅电极的上部表面延伸至浮置栅电极(7a～7c)的侧面。控制栅电极(9)，从浮置栅电极(7a～7c)的上部表面延伸至浮置栅电极(7a～7c)的侧面，在ONO膜(8)上形成。

主权项

1.一种非易失半导体存储装置，其中设有：在主表面上设有隔着间隔配置的两个沟的半导体衬底；填充所述沟的内部而形成的、上部表面的端部的形状为向所述半导体衬底侧凸出的曲面状的隔离绝缘体；从位于所述两个沟之间的所述半导体衬底的主表面上部延伸至所述两个隔离绝缘体上部的、有平坦的上部表面的浮置电极；从所述浮置电极的上部表面延伸至位于所述隔离绝缘体上部的所述浮置电极侧面而形成的绝缘膜；以及从所述浮置电极的上部表面延伸至所述浮置电极的侧面，在所述绝缘膜上形成的控制电极。