[发明专利]使用树脂粒子的半导体衬底上的有机膜的研磨方法和料浆无效
| 申请号： | 03160170.7 | 申请日： | 2003-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1497681A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 高安淳;村上聪志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B1/00;B24B37/00;C09K3/14;C08J5/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种有机膜的研磨方法，当使用包含树脂粒子的料浆在化学机械上研磨半导体衬底上的有机膜即保护层(13)时，在保护层(13)的基础层上形成比树脂粒子质地硬的ASG膜(12)，通过使用树脂粒子的粒径被设定为比槽(DT)的开口部尺寸(1d)大的料浆，就能防止侵蚀、到伤或堵塞。能在不损伤被研磨对象的有机膜的基础层的前提下对有机膜进行研磨，使表面平坦化的有机膜的研磨方法和适用于它的料浆。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 树脂 粒子 半导体 衬底 有机 研磨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机膜的研磨方法，其特征在于：使用包含树脂粒子的料浆来研磨有机膜露出的半导体衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03160170.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有不对称边缘轮廓的半导体晶片及其制造方法
- 下一篇：等离子体处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
