[发明专利]发热体CVD装置及发热体CVD装置中的发热体与电力供给机构之间的连接构造无效
申请号: | 03160176.6 | 申请日: | 2003-09-29 |
公开(公告)号: | CN1497676A | 公开(公告)日: | 2004-05-19 |
发明(设计)人: | 石桥启次;田中雅彥;柄泽稔;砂山英树;山田和孝;松村英树;增田淳 | 申请(专利权)人: | 安内华股份有限公司;北陆先端科学技术大学院大学 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的发热体CVD装置,将电气连接发热体与电力供给机构的多个连接端子实现电气绝缘的同时、保持在被预先确定的位置上,在处理容器内设置一个或多个连接端子保持座,该连接端子使发热体与基板保持座相对地支承与该连接端子连接的发热体,使得与上述连接端子连接的发热体的连接部区域不露出到处理容器内的空间中。在通过发热体通过孔延伸到处理容器内侧的发热体的部分与连接端子保持座的朝向处理容器内的侧的面之间配备屏蔽板,该屏蔽板具有发热体以非接触的状态通过的发热体通过孔和气体通过用的多个贯通孔。在具有比该连接用销的直径小的内径的小孔并在形成有该小孔的周壁上具有沿轴向延伸的狭缝的连接端子的销接受部的该小孔中嵌插上述连接用销。 | ||
搜索关键词: | 发热 cvd 装置 中的 电力 供给 机构 之间 连接 构造 | ||
【主权项】:
1.一种发热体CVD装置,该发热体CVD装置,具有处理容器、排气系统及原料气体供给系统、发热体,上述处理容器对保持在设置于其内部的基板保持座上的基板进行规定的处理,上述排气系统与上述处理容器相连接、用于将处理容器内排气为真空,上述原料气体供给系统将规定的原料气体供给到处理容器内,上述发热体被配置在上述处理容器内并接受来自电力供给机构的电力供给被变为高温,从上述原料气体供给系统导入到处理容器内的原料气体由被维持为高温的发热体分解和/或活性化,在被保持在上述基板保持座上的基板上形成薄膜,其特征在于,在处理容器内设置一个或多个连接端子保持座,该连接端子保持座将电气连接上述发热体与电力供给机构的多个连接端子实现电绝缘的同时、保持在被预先确定的位置上,并且使被连接在连接端子上的发热体的连接部区域不露出到处理容器内的空间中并使发热体上述基板保持座相对地支承与该连接端子连接的发热体,屏蔽板具有上述发热体以非接触的方式通过的发热体通过孔和气体通过用的多个贯通孔,该屏蔽板被配置在通过上述发热体通过孔向处理容器内侧延伸的发热体的部分与连接端子保持座朝向处理容器内的侧的面之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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