[发明专利]等离子体掺杂装置有效
| 申请号： | 03160202.9 | 申请日： | 2003-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1577747A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 奥村智洋;中山一郎;水野文二 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的掺杂装置具有其中限定有室的真空容器。所述容器具有由电介质材料制成的一个部分，该部分具有将被掺杂在基片中的杂质，其中所述基片设置在所述室中。同样，在所述室中设置用于产生等离子体的等离子体源，所述等离子体源通过形成穿过所述容器的所述部分的电场来产生等离子体。利用所述装置，等离子体中的离子撞击容器的所述部分，从而将从所述容器的所述部分中出来的杂质供至所述室中。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 掺杂 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体掺杂装置，包括：其中限定有室的真空容器，所述容器具有由电介质材料制成的一个部分，该部分具有将被掺杂在基片中的杂质，其中所述基片设在所述室中；以及等离子体源，所述等离子体源通过形成穿过所述容器的所述部分的电场来在所述室中产生等离子体，使等离子体中的离子撞击所述容器的所述部分，以将杂质从所述容器的所述部分中取出并进入到所述室中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
